プラズマCVD装置　MAPLEは、水素量の抑制技術と250℃付近のウェハ温度制御技術を備え、次世代不揮発性メモリーのFeRAMやMRAMに対して最適な絶縁膜プロセスをご提供します。

MAPLEは、チャンバ構成、消耗部品を可能な限り単純化することでサービスメンテナンス性の向上とランニングコストの低減を図り、低CoO（Cost of Ownership）を達成しています。また、生産性も高く、半導体製造メーカー様の多様なニーズにお応えできます。

デモ成膜を通してプラズマCVD装置　MAPLEの実際の性能をご確認頂けますのでお気軽にお問い合わせ下さい。